Заполнитель

MJE5852G, Транзистор PNP 8A 400V [TO220AB]

600,00 руб.

x 600,00 = 600,00
Артикул: 1125035 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней600,00руб.558,00руб.540,00руб.528,00руб.510,00руб.480,00руб.468,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.128,00руб.1.038,00руб.1.020,00руб.996,00руб.960,00руб.906,00руб.882,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.146,00руб.1.056,00руб.1.032,00руб.1.008,00руб.960,00руб.912,00руб.894,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней720,00руб.660,00руб.648,00руб.630,00руб.612,00руб.576,00руб.558,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.044,00руб.960,00руб.936,00руб.918,00руб.888,00руб.834,00руб.810,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней654,00руб.606,00руб.588,00руб.576,00руб.558,00руб.522,00руб.510,00руб.

Характеристики

MJE5852G, Транзистор PNP 8A 400V [TO220AB]The MJE5852G is a -400V PNP silicon Bipolar Power Transistor designed for high voltage, high speed and power switching in inductive circuits where fall time is critical. This switch-mode series transistor is particularly suited for line operated switch-mode applications.

• Fast turn-off times
• Complementary to the MJE13007 series
• 6V Emitter to base voltage (VEBO)
• 16ADC Peak collector current
• 4ADC Base current (IB)
• 1.25 C/W Thermal resistance, junction to case

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

80