24
fs50r12ke3.330x300WhatsApp Image 2020-01-22 at 20.19.21

Силовой модуль IGBT FS450R12KE3

43.840,00 руб.

x 43.840,00 = 43.840,00
Артикул: 1087301 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №110-12 дней43.840,00руб.40.771,20руб.38.579,20руб.37.264,00руб.35.948,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №210-12 дней53.484,80руб.46.470,40руб.43.401,60руб.41.648,00руб.36.825,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №37 дней57.868,80руб.54.800,00руб.52.169,60руб.49.100,80руб.43.401,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №410 дней52.169,60руб.49.539,20руб.46.908,80руб.44.278,40руб.39.017,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №510-12 дней48.662,40руб.46.032,00руб.43.401,60руб.41.209,60руб.36.387,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №66 дней60.499,20руб.57.430,40руб.54.361,60руб.51.292,80руб.45.593,60руб.

Характеристики

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASE

 

Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
No
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Continuous Collector Current at 25 C
600 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Pd — Power Dissipation
2.1 kW
Package Case
EconoPACK+
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
Infineon Technologies
Height
17 mm
Length
162 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
— 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
4
Width
150 mm

Дополнительная информация

Бренд

Infineon