24

Силовой модуль IGBT SEMIX452GB126HDS

12.724,00 руб.

x 12.724,00 = 12.724,00
Артикул: 1086102 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней12.724,00руб.11.833,32руб.11.197,12руб.10.815,40руб.10.433,68руб.10.242,82руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней14.378,12руб.12.978,48руб.12.724,00руб.12.215,04руб.11.833,32руб.11.578,84руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней15.523,28руб.13.996,40руб.13.614,68руб.13.232,96руб.12.469,52руб.11.706,08руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней15.141,56руб.13.614,68руб.13.360,20руб.12.851,24руб.12.342,28руб.11.642,46руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней21.630,80руб.19.467,72руб.19.086,00руб.18.322,56руб.17.686,36руб.16.159,48руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней21.503,56руб.19.340,48руб.18.933,31руб.18.195,32руб.17.559,12руб.16.032,24руб.

Характеристики

IGBT MODULE, 2X1200V; Transistor Type:IGBT Module; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:470A; Voltage, Vce Sat Max:2.15V; Case Style:SEMiX 2s; Termination Type:Screw; Current, Ic av:470A; Current, Icm Pulsed:600A; Current, Ifs Max:1900A; Time, Rise:100ns; Voltage, Vceo:1.2V; Voltage, Vrrm:1200V

Дополнительная информация

Бренд

Semikron