2010020827

X2G150FD12P3, 62 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А

1.760,73 руб.

x 1.760,73 = 1.760,73
Артикул: 1065946 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.760,73руб.1.637,48руб.1.549,44руб.1.496,62руб.1.443,80руб.1.417,39руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.989,62руб.1.795,94руб.1.760,73руб.1.690,30руб.1.637,48руб.1.602,26руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.148,09руб.1.936,80руб.1.883,98руб.1.831,16руб.1.725,52руб.1.619,87руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.095,27руб.1.883,98руб.1.848,77руб.1.778,34руб.1.707,91руб.1.611,07руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.993,24руб.2.693,92руб.2.641,10руб.2.535,45руб.2.447,41руб.2.236,13руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.975,63руб.2.676,31руб.2.619,97руб.2.517,84руб.2.429,81руб.2.218,52руб.

Характеристики

X2G150FD12P3, 62 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А

Дополнительная информация

Макс.напр.к-э,В

—
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

—
Номинальный ток одиночного тр-ра,А

—
Структура модуля

—
Тип силового модуля

—
Максимальная частота модуляции,кГц

—
Входная емкость затвора,нФ

—
Мощность привода, кВт

—
Драйвер управления

—
Защита по току

—
Защита от короткого замыкания

—
Защита от перегрева

—
Защита от пониженного напряжения питания

—
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

—
Максимальный ток эмиттера, А

—
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

—
Напряжение эмиттер-коллектор,В

—
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

—
Напряжение изоляции, В

—
Температурный диапазон,С

—