2010020825

X2G100FD12P3, 62 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А

1.355,31 руб.

x 1.355,31 = 1.355,31
Артикул: 1065944 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.355,31руб.1.260,44руб.1.192,67руб.1.152,01руб.1.111,35руб.1.091,02руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.531,50руб.1.382,42руб.1.355,31руб.1.301,10руб.1.260,44руб.1.233,33руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.653,48руб.1.490,84руб.1.450,18руб.1.409,52руб.1.328,20руб.1.246,89руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.612,82руб.1.450,18руб.1.423,08руб.1.368,86руб.1.314,65руб.1.240,11руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.304,03руб.2.073,62руб.2.032,97руб.1.951,65руб.1.883,88руб.1.721,24руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.290,47руб.2.060,07руб.2.016,70руб.1.938,09руб.1.870,33руб.1.707,69руб.

Характеристики

X2G100FD12P3, 62 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А

Дополнительная информация

Макс.напр.к-э,В

—
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

—
Номинальный ток одиночного тр-ра,А

—
Структура модуля

—
Тип силового модуля

—
Максимальная частота модуляции,кГц

—
Входная емкость затвора,нФ

—
Мощность привода, кВт

—
Драйвер управления

—
Защита по току

—
Защита от короткого замыкания

—
Защита от перегрева

—
Защита от пониженного напряжения питания

—
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

—
Максимальный ток эмиттера, А

—
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

—
Напряжение эмиттер-коллектор,В

—
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

—
Напряжение изоляции, В

—
Температурный диапазон,С

—