517456039

SEMIX302GB176HDS, модуль транзисторный

12.600,00 руб.

x 12.600,00 = 12.600,00
Артикул: 1065873 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней12.600,00руб.11.718,00руб.11.088,00руб.10.710,00руб.10.332,00руб.10.143,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней14.238,00руб.12.852,00руб.12.600,00руб.12.096,00руб.11.718,00руб.11.466,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней15.372,00руб.13.860,00руб.13.482,00руб.13.104,00руб.12.348,00руб.11.592,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней14.994,00руб.13.482,00руб.13.230,00руб.12.726,00руб.12.222,00руб.11.529,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней21.420,00руб.19.278,00руб.18.900,00руб.18.144,00руб.17.514,00руб.16.002,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней21.294,00руб.19.152,00руб.18.748,80руб.18.018,00руб.17.388,00руб.15.876,00руб.

Характеристики

SEMIX302GB176HDS, модуль транзисторный

Дополнительная информация

Макс.напр.к-э,В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

Номинальный ток одиночного тр-ра,А

Структура модуля

Тип силового модуля

Максимальная частота модуляции,кГц

Входная емкость затвора,нФ

Мощность привода, кВт

Драйвер управления

Защита по току

Защита от короткого замыкания

Защита от перегрева

Защита от пониженного напряжения питания

Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

Максимальный ток эмиттера, А

Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

Напряжение эмиттер-коллектор,В

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

Напряжение изоляции, В

Температурный диапазон,С