fs50r12ke3.330x300

FS450R12KE3_S1

46.300,00 руб.

x 46.300,00 = 46.300,00
Артикул: 1065477 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №110-12 дней46.300,00руб.43.059,00руб.40.744,00руб.39.355,00руб.37.966,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №210-12 дней56.486,00руб.49.078,00руб.45.837,00руб.43.985,00руб.38.892,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №37 дней61.116,00руб.57.875,00руб.55.097,00руб.51.856,00руб.45.837,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №410 дней55.097,00руб.52.319,00руб.49.541,00руб.46.763,00руб.41.207,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №510-12 дней51.393,00руб.48.615,00руб.45.837,00руб.43.522,00руб.38.429,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №66 дней63.894,00руб.60.653,00руб.57.412,00руб.54.171,00руб.48.152,00руб.

Характеристики

FS450R12KE3_S1

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASE

Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
No
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Continuous Collector Current at 25 C
600 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Pd — Power Dissipation
2.1 kW
Package Case
EconoPACK+
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Brand
Infineon Technologies
Height
17 mm
Length
162 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
— 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
4
Width
150 mm

Дополнительная информация

Бренд

Infineon
Макс.напр.к-э,В

—
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

—
Номинальный ток одиночного тр-ра,А

—
Структура модуля

—
Тип силового модуля

—
Максимальная частота модуляции,кГц

—
Входная емкость затвора,нФ

—
Мощность привода, кВт

—
Драйвер управления

—
Защита по току

—
Защита от короткого замыкания

—
Защита от перегрева

—
Защита от пониженного напряжения питания

—
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

—
Максимальный ток эмиттера, А

—
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

—
Напряжение эмиттер-коллектор,В

—
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

—
Напряжение изоляции, В

—
Температурный диапазон,С

—