2010050394

BSM75GB120DN2, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А

8.420,00 руб.

x 8.420,00 = 8.420,00
Артикул: 1065067 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней8.420,00руб.7.830,60руб.7.409,60руб.7.157,00руб.6.904,40руб.6.778,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней9.514,60руб.8.588,40руб.8.420,00руб.8.083,20руб.7.830,60руб.7.662,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней10.272,40руб.9.262,00руб.9.009,40руб.8.756,80руб.8.251,60руб.7.746,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней10.019,80руб.9.009,40руб.8.841,00руб.8.504,20руб.8.167,40руб.7.704,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней14.314,00руб.12.882,60руб.12.630,00руб.12.124,80руб.11.703,80руб.10.693,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней14.229,80руб.12.798,40руб.12.528,96руб.12.040,60руб.11.619,60руб.10.609,20руб.

Характеристики

BSM75GB120DN2, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А

Дополнительная информация

Бренд

Infineon

Макс.напр.к-э,В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

Номинальный ток одиночного тр-ра,А

Структура модуля

Тип силового модуля

Максимальная частота модуляции,кГц

Входная емкость затвора,нФ

Мощность привода, кВт

Драйвер управления

Защита по току

Защита от короткого замыкания

Защита от перегрева

Защита от пониженного напряжения питания

Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

Максимальный ток эмиттера, А

Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

Напряжение эмиттер-коллектор,В

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

Напряжение изоляции, В

Температурный диапазон,С